| 31. | CMOS ट्रंज़िस्टर्स (उपकरण) पॉलीसिलिकॉन और विसरण के प्रतिच्छेदन द्वारा बनते हैं:
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| 32. | द्रवों का विसरण गैसों के विसरण की अपेक्षा अधिक पेंचीदा है।
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| 33. | द्रवों का विसरण गैसों के विसरण की अपेक्षा अधिक पेंचीदा है।
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| 34. | सांद्रण और ताप की वृद्धि से विसरण अपेक्षया सरल होता है।
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| 35. | इनका विसरण बहुत कुछ पदार्थों की प्रकृति पर निर्भर करता है।
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| 36. | गैसों के विसरण से हमें अनेक बड़े उपयोगी परिणाम प्राप्त होते हैं।
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| 37. | गैसों के विसरण से हमें अनेक बड़े उपयोगी परिणाम प्राप्त होते हैं।
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| 38. | रंजक के विलयनों के विसरण मापने में ही उपयोगी सिद्ध हुआ है।
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| 39. | रंजक के विलयनों के विसरण मापने में ही उपयोगी सिद्ध हुआ है।
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| 40. | इस प्रकार विषामांग क्रियाओं में विसरण (diffusion) अत्यंत महत्वपूर्ण कारक होता है।
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